357章 3D闪存技术！-第2/3页

    谭云松笑了起来：“没措施，国内在半导体产业上有着如此快速的提升，这就是一个奇迹呀！根本没措施用科学来解释。”

    “这不是谭总最盼看看到的成果么。”杨杰笑着道。

    越日，杨杰也是涌现在了新蓝科技公司的研发中心，会议室里面坐满了公司研发部分的技巧工程师，中间还有二十多名的美国的工程师。

    他指着投影屏幕上自制的ppt说道：“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层尽缘薄膜，这三层薄膜分辨是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕捉电子，达到存储电荷的目标，带电就是1，不带电就是0。”

    杨杰持续说道：“氮化硅之前只是用在对底层金属实现笼罩，由于针孔很少，对水汽和钠在氮化硅材料中扩散非常慢，这次我们将氮化硅注进沟道边沿。”

    他看到众人都是露出了困惑的表情，笑着解释道：“我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，在对单元进行写进操作时，采用热电子注进法，将热电子注进沟道边沿的氮化硅，这样就完成了写进过程，在作擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注进沟道边沿的氮化硅，打消电荷，就完成了擦除。

    “由于氮化硅的尽缘性，热电子效应产生的电子只能被注进并限制在沟道边沿。正是这样，两侧沟道一旦全部带电就是11，全部不带电就是00，但是我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会涌现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺转变的条件下，让现有的闪存容量增长了一倍。”

    “在这个基础上，我们可以今后发展出多电压把持栅极多层注进电荷技巧产品，实现多层的堆叠，可以用这种技巧在现有的制程工艺上最大限度地增长闪存的容量，而不是完整依附制程工艺的提升，这也大大地降低了闪存的本钱。”

    听到这里，会议室里一片哗然，众人都是无比惊喜，韩小龙此时激动地鼓掌，随后大家都是随着用力地鼓起掌来。

    “杨少你太神了！我们得赶紧实验！赶紧写论文申请专利！”韩小龙激动地说道。

    “杨先生，你的假想太完善了！我感到可行！真的可行！这个门路怎么以前就没人想到呢！你真是天才！”

    此时好几个美国工程师都是激动地站起来嚷嚷。

    “杨少，我有个问题，这种技巧路线的确让一个存储单位可以承载四个信息，比以前翻了一倍，可接下来怎么读取呢？”一个工程师举起手问道。

    “这四种情况的电压是不同的呀，我们只要设计出一套解码电路，用于读取并解析数据就行，具体的解码电路还需要你们往设定。”杨杰笑着道。

    “杨少，我们马上对解码电路进行设计，我差未几有了想法，我保证下一周把芯片设计拿出来，随后就能进行制程工艺流程的设计，最晚月底，我们就可以进行第一次工程流片！”

    韩小龙激动地说道。

    “很好，我等着你们的好消息。”杨杰看到众人都跟打了鸡血一样，笑着点头道。

    现在他捅破了这层窗户纸，新蓝科技公司将成为世界上第一家采用3d闪存技巧的设计企业！也可以说是彻底地摆脱目前所受的英特尔和东芝的闪存专利束缚，抵消了需缴纳给国际闪存技巧同盟的专利费！

    只要芯片流片成功，拿到专利申请，国外的这些闪存大厂反过来还要向公司缴纳专利费！

    看到一脸笑脸的杨杰站在那里，韩小龙等人心中都是无比感叹：杨少真是一位神人呀！...
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